في مؤتمر IEEE-SSCC 2024 المنتظر، ستكشف شركتا سامسونج و SK Hynix النقاب عن أحدث حلول الذاكرة، والتي من المتوقع أن تحمل تحسينات مبهرة في أداء الأجهزة الإلكترونية، وذلك خلال الفترة من 18 إلى 22 فبراير.
وتضمنت التقارير التي تم تداولها تفاصيل عن مجموعة واسعة من تقنيات الذاكرة المتنوعة التي ستعرضها الشركتان، بما في ذلك ذاكرة DDR5 و GDDR7 و HBM3E و HBM4، حيث تسعى سامسونج لتقديم ذاكرة GDDR7 بمعدلات نقل مذهلة.
ومن بين المنتجات المنتظرة هي ذاكرة فلاش 3D NAND من سامسونج، التي تتميز بتصميم يتضمن 280 طبقة وبسعة تصل إلى 1 تيرابت، مما يعني تطويراً ملموساً في أجهزة التخزين SSD والهواتف الذكية.
ومع تحسينات ملحوظة في تقنية ذاكرة الفلاش 3D NAND، حيث تصل كثافتها إلى 28.5 جيجابت في الملمتر المربع، وسرعة نقل بيانات تبلغ 3.2 جيجابت في الثانية، من المتوقع أن يتم تحسين أداء أقراص SSD بشكل كبير.
ومن المنتجات الأخرى التي ستعرضها سامسونج في المؤتمر هي ذاكرة DDR5 بتردد يصل إلى 8000 ميجاهرتز، بالإضافة إلى ذاكرة GDDR7 المخصصة للبطاقات الرسومية القادمة.
من جهتها، ستكشف شركة SK Hynix عن ذاكرة GDDR7 بمعدلات نقل تصل إلى 35.4 جيجابت في الثانية، بالإضافة إلى تقديم تصميم جديد لذاكرة HBM3E بحجم يصل إلى 48 جيجابايت وعرض نطاق ترددي يبلغ 1280 جيجابايت في الثانية.
تعد هذه المنتجات من أهم المستجدات التكنولوجية المتوقع عرضها في المؤتمر، الذي سيشهد تطورات هامة في مجال الذاكرة وتأثيرها على أداء الأجهزة الإلكترونية المستقبلية. سنوافيكم بآخر التفاصيل حول هذه الإعلانات خلال تغطيتنا للمؤتمر.
إرسال تعليق