سامسونج تطلق شريحة HBM3E 12H DRAM الجديدة

 أعلنت سامسونج عن تطويرها لشريحة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ذات النطاق الترددي العالي HBM3E 12H DRAM، التي تعتبر خطوة نحو تحقيق الريادة التكنولوجية في سوق الذكاء الاصطناعي المزدهر.

تتميز شريحة HBM3E 12H بتصميم متطور يقلل من استهلاك الطاقة ويزيد من كفاءة الأداء، مما يجعلها الحل المثالي لمقدمي الخدمات في مجال الذكاء الاصطناعي الذين يتطلبون أداءً عاليًا واستهلاكًا منخفضًا للطاقة.

تستخدم الشريحة التقنية المتقدمة TC NCF، التي تحسن من خصائص التبريد وتزيد من الإنتاجية، وتعزز الأداء بشكل لا مثيل له.

وبالفعل، بدأت سامسونج بتقديم عينات من شريحة HBM3E 12H للعملاء، ومن المتوقع أن يبدأ الإنتاج الضخم في النصف الأول من هذا العام، مما يعكس التزام الشركة بتلبية احتياجات السوق وتوفير أحدث التقنيات.

بفضل أداءها المتفوق وقدراتها المذهلة، تمثل شريحة HBM3E 12H حلاً فعالًا لأنظمة الذكاء الاصطناعي المستقبلية، مما يسهم في تعزيز تجربة المستخدم وتحسين كفاءة إدارة الموارد.

وتشير التقديرات إلى أن استخدام HBM3E 12H يمكن أن يزيد من سرعة تدريب الذكاء الاصطناعي بنسبة تصل إلى 34 في المئة مقارنةً بالشرائح التقليدية، مما يجعلها خيارًا مثاليًا لتلبية احتياجات التطبيقات المتطورة.