سامسونج، العملاق الكوري في مجال التكنولوجيا، يعزز مكانته في عالم الرقاقات من خلال افتتاح مختبر بحثي جديد في وادي السيليكون بالولايات المتحدة الأمريكية.
المختبر الجديد يتخصص في تطوير الجيل القادم من تقنية "ذاكرة الحلم"، وهي تقنية ثلاثية الأبعاد لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (3D DRAM) التي تشكل حجر الزاوية في عالم الحوسبة الحديثة.
بفضل هذه الخطوة، تسعى سامسونج إلى الابتكار والتفوق في مجال صناعة الرقاقات، مما يؤكد دورها كواحدة من الشركات الرائدة عالميًا في هذا المجال المهم.
يأتي هذا الإعلان بعدما أعلنت سامسونج في شهر أكتوبر عن تطوير هياكل جديدة لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية بأبعاد تقل عن 10 نانومتر، مما يوحي بقدرة هائلة لهذه التقنية على تحسين الأداء وزيادة السعة.
من المتوقع أن تصل سعة الشرائح الجديدة التي تعمل بهذه التقنية إلى 100 جيجابايت لكل شريحة، مما يعزز قدرة الأجهزة على التعامل مع التطبيقات الحديثة والمتطورة بكفاءة عالية.
يُعتبر هذا الإعلان خطوة نحو الأمام في عالم الرقاقات، حيث تتيح تقنية ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الثلاثية الأبعاد إمكانيات جديدة لزيادة الكفاءة وتحسين الأداء بشكل عام.
وتأتي هذه الخطوة في ظل تزايد الطلب على رقاقات الذاكرة، خاصة في سوق الحوسبة السحابية والذكاء الاصطناعي، مما يجعل استثمارات شركات التكنولوجيا في هذا المجال أكثر أهمية من أي وقت مضى.
وتجدر الإشارة إلى أن سامسونج تتمتع بخبرة واسعة في مجال الذاكرة، حيث كانت أول شركة تطور ذاكرة NAND العمودية الثلاثية الأبعاد التجارية في عام 2013.
ومن المتوقع أن تجعل تقنية ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الثلاثية الأبعاد سامسونج تحافظ على مكانتها كشركة رائدة في هذا المجال المهم، وتعزز مكانتها كشريك استراتيجي للشركات الرائدة الأخرى مثل إنتل.
إرسال تعليق