كشف تحقيق من وكالة بلومبرغ أن شركتي هواوي والشركة الصينية للأشباه الموصلات SMIC قامتا بتقديم براءات اختراع لتقنية متقدمة تُعرف باسم النقش النمطي الرباعي بالمحاذاة الذاتية (SAQP)، بهدف تحسين دقة تصنيع الرقاقات إلى 5 نانومتر.
تعتمد هذه التقنية الجديدة على استخدام أجهزة الأشعة فوق البنفسجية العميقة (DUV)، وتهدف إلى تحسين دقة تصنيع الرقاقات بما يتماشى مع قوانين التصدير الأمريكية، مما يسمح لشركة SMIC بالتطور والتقدم في صناعة الأشباه الموصلات.
وبينما كانت SMIC تستخدم سابقًا تقنية النقش النمطي المزدوج بالمحاذاة الذاتية (SADP) مع أجهزة DUV لتصنيع الرقاقات بدقة 7 نانومتر، فإن التحول إلى دقة 5 نانومتر يمثل تحديًا فنيًا وتقنيًا جديدًا.
اللافت هو أن هناك عدة شركات تعتمد حاليًا على أجهزة DUV لتصنيع الرقاقات، نظرًا لتكلفتها المنخفضة مقارنة بتقنية EUV. ومع ذلك، مع تزايد متطلبات الكثافة في دقات التصنيع الأصغر، أصبح من الصعب استخدام أجهزة DUV لتحقيق دقة أقل من 10 نانومتر.
وهنا يأتي دور تقنية EUV من شركة ASML، التي تُعتبر الشركة الوحيدة في العالم التي تنتج أجهزة تصوير الضوء بتقنية EUV، والتي تُعتبر ضرورية لتحقيق الدقة العالية في تصنيع الرقاقات.
وعلى الرغم من أن شحن أجهزة EUV إلى الصين يواجه عقبات بسبب القيود التجارية الأمريكية، إلا أن من المتوقع أن تعمل هواوي على تطوير أجهزة EUV الخاصة بها، مما قد يستغرق بعض الوقت لكنه سيكون خطوة مهمة في صناعة الأشباه الموصلات.