أعلنت شركة SK Hynix رسميًا دخولها إلى سباق إنتاج ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي HBM4، الجيل التالي من التكنولوجيا، لتنافس عمالقة الصناعة مثل سامسونج وميكرون. وكشف نائب رئيس الشركة، كيم تشون هوان، عن خطة البدء في الإنتاج الضخم لهذه الذاكرة المتطورة في عام 2026، مع توقعات بتسريع الابتكار في أسواق الذكاء الاصطناعي.
في معرض SEMICON Korea 2024، أكد هوان أن الشركة ستشهد بداية مرحلة الإنتاج الكبير لذاكرة HBM3E في العام الحالي، مما يضع الأساس لتحول كبير في سوق التكنولوجيا. وعلى الرغم من تحفظات البعض حيال هذه الخطوة، يعتقد هوان أن سوق ذاكرة HBM سيشهد نموًا كبيرًا يصل إلى 40% في عام 2025.
مع زيادة الطلب السريع على التقنيات المتقدمة للذكاء الاصطناعي، يبرز دور ذاكرة HBM في تحسين قدرات الحوسبة الفائقة، وذلك من خلال استخدامها في البطاقات الرسومية والمعالجات المركزية المعتمدة على تصميم حزم متعددة الرقاقات.
تتوقع مجموعة أبحاث Trendforce أن تتمثل أولى العينات من ذاكرة HBM4 بسعة 36 جيجابايت، مع إصدار المواصفات الرسمية المتوقع في النصف الثاني من عام 2024 وعام 2025 عندما تصدرها منظمة JEDEC العالمية المتخصصة في تطوير معايير صناعة الإلكترونيات الدقيقة.
وبتوقع وصول العينات المخصصة للعملاء في عام 2026، يتوفر وقت كافٍ للاستعداد قبل أن تحظى المنتجات الجديدة المخصصة للذكاء الاصطناعي بدعم ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي HBM4.
إرسال تعليق